要闻:东微半导:公司的Si2C MOSFET部分使用了碳化硅衬底,减少了SiC材料的用量

时间:2023-04-25 02:33:27来源:同花顺iNews


(资料图)

同花顺(300033)金融研究中心4月24日讯,有投资者向东微半导提问, 尊敬的领导您好,请问贵公司推出的Si2C MOSFET与SiC MOSFET相比,成本方面大概有多少的降幅?

公司回答表示,尊敬的投资者您好!公司的Si2C MOSFET部分使用了碳化硅衬底,减少了SiC材料的用量。Si2C MOSFET克服了传统SiC MOSFET成本高和Vth飘移的缺点,实现了高栅氧可靠性。同时还实现了接近SiC MOSFET优秀的反向恢复能力,能够取代一部分SiC MOSFET的应用,在价格与性能之间找到了更好的平衡点。感谢您对公司的关注!

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